Fabrikantnummer

Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3

RS-stocknr.:: 279-9999
Fabrikantnummer:: SISS52DN-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin 1212-8S SISS52DN-T1-UE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 6,19

(excl. BTW)

€ 7,49

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

5.995 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
5 - 45	€ 1,238	€ 6,19
50 - 95	€ 1,118	€ 5,59
100 - 245	€ 0,998	€ 4,99
250 - 995	€ 0,984	€ 4,92
1000 +	€ 0,96	€ 4,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 279-9999
Fabrikantnummer:: SISS52DN-T1-UE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	162A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SISS
	Package Type	1212-8S
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0012Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	65nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 162A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SISS
	Package Type 1212-8S
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0012Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SISS52DN-T1-UE3

The Vishay MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Very low RDS x Qg figure of merit

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.