Fabrikantnummer

STMicroelectronics MASTERG Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 650 V Enhancement, 31-Pin QFN-9 MASTERGAN4LTR

RS-stocknr.:: 287-7042
Fabrikantnummer:: MASTERGAN4LTR
Fabrikant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MASTERG Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 650 V Enhancement, 31-Pin QFN-9 MASTERGAN4LTR

Momenteel niet beschikbaar

We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.

RS-stocknr.:: 287-7042
Fabrikantnummer:: MASTERGAN4LTR
Fabrikant:: STMicroelectronics

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	STMicroelectronics
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	MASTERG
	Package Type	QFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	31
	Maximum Drain Source Resistance Rds	300mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	40mW
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	1mm
	Width	9mm
	Standards/Approvals	RoHS, ECOPACK
	Length	9mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk STMicroelectronics
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series MASTERG
	Package Type QFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 31
	Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 40mW
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 1mm
	Width 9mm
	Standards/Approvals RoHS, ECOPACK
	Length 9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - MASTERGAN4LTR

Land van herkomst:: TH

The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.

Zero reverse recovery loss

UVLO protection on VCC

Internal bootstrap diode

Interlocking function

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.