STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP60NF06L
- RS-stocknr.:
- 485-7816P
- Fabrikantnummer:
- STP60NF06L
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal 10 eenheden (geleverd in een buis)*
€ 17,30
(excl. BTW)
€ 20,90
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 375 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 10 - 20 | € 1,73 |
| 25 - 95 | € 1,68 |
| 100 - 495 | € 1,366 |
| 500 + | € 1,144 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 485-7816P
- Fabrikantnummer:
- STP60NF06L
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STripFET II | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 15 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STripFET II | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 15 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.