STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS-stocknr.:
- 687-5103P
- Fabrikantnummer:
- STD35NF06LT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (50 eenheden, geleverd op een doorlopende strip)*
€ 57,90
(excl. BTW)
€ 70,05
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- 9.195 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 50 - 245 | € 1,158 |
| 250 - 495 | € 1,034 |
| 500 + | € 0,888 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 687-5103P
- Fabrikantnummer:
- STD35NF06LT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET II | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -15, +15V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 6.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET II | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -15, +15V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.6mm | ||
Width 6.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.