Vishay IRFL Type P-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL9014TRPBF
- RS-stocknr.:
- 710-4654
- Fabrikantnummer:
- IRFL9014TRPBF
- Fabrikant:
- Vishay
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 8,24
(excl. BTW)
€ 9,97
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 630 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 1.840 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,824 | € 8,24 |
| 50 - 90 | € 0,784 | € 7,84 |
| 100 - 240 | € 0,594 | € 5,94 |
| 250 - 490 | € 0,536 | € 5,36 |
| 500 + | € 0,454 | € 4,54 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 710-4654
- Fabrikantnummer:
- IRFL9014TRPBF
- Fabrikant:
- Vishay
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | IRFL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 500mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Forward Voltage Vf | -5.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.45mm | |
| Width | 3.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series IRFL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Forward Voltage Vf -5.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.45mm | ||
Width 3.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Gerelateerde Links
- Vishay P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 IRFL9014TRPBF
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1
- onsemi P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 NDT2955
- onsemi P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF2955T1G
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP75DP06LMXTSA1
- Infineon P-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP12DP06NMXTSA1
