Vishay Si7850DP Type N-Channel MOSFET, 6.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7850DP-T1-E3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 9,74

(excl. BTW)

€ 11,785

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.550 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,948€ 9,74
50 - 120€ 1,658€ 8,29
125 - 245€ 1,442€ 7,21
250 - 495€ 1,188€ 5,94
500 +€ 0,936€ 4,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
710-4764
Fabrikantnummer:
SI7850DP-T1-E3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

Si7850DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4.9mm

Width

5.89 mm

Height

1.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links