STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-92
- RS-stocknr.:
- 714-6796P
- Fabrikantnummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal 100 eenheden (geleverd als een tape)*
€ 38,10
(excl. BTW)
€ 46,10
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 5.090 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 100 - 490 | € 0,381 |
| 500 - 990 | € 0,293 |
| 1000 - 1990 | € 0,267 |
| 2000 + | € 0,241 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 714-6796P
- Fabrikantnummer:
- STQ1HNK60R-AP
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-92 | |
| Series | MDmesh, SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30, +30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.95mm | |
| Length | 4.95mm | |
| Width | 3.94mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-92 | ||
Series MDmesh, SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30, +30V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.95mm | ||
Length 4.95mm | ||
Width 3.94mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||