Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB320N20N3GATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,28

(excl. BTW)

€ 3,97

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 1.531 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 3,28

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
752-8344
Fabrikantnummer:
IPB320N20N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

32mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Width

9.45 mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links