Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB107N20N3GATMA1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,14

(excl. BTW)

€ 6,22

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 712 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,14
10 - 24€ 4,62
25 - 49€ 4,37
50 - 99€ 4,06
100 +€ 3,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
754-5434
Fabrikantnummer:
IPB107N20N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

88A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.31mm

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links