STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB7NK80ZT4
- RS-stocknr.:
- 760-9516P
- Fabrikantnummer:
- STB7NK80ZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal 10 eenheden (geleverd op een doorlopende strip)*
€ 24,10
(excl. BTW)
€ 29,20
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- 285 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 10 - 95 | € 2,41 |
| 100 - 495 | € 1,888 |
| 500 - 995 | € 1,604 |
| 1000 + | € 1,322 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 760-9516P
- Fabrikantnummer:
- STB7NK80ZT4
- Fabrikant:
- STMicroelectronics
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | MDmesh, SuperMESH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 10.75mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series MDmesh, SuperMESH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.6mm | ||
Length 10.75mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||