Vishay Si1012CR Type N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 SI1012CR-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 20 eenheden)*

€ 3,02

(excl. BTW)

€ 3,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
20 - 180€ 0,151€ 3,02
200 - 480€ 0,105€ 2,10
500 - 980€ 0,094€ 1,88
1000 - 1980€ 0,082€ 1,64
2000 +€ 0,08€ 1,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9005
Fabrikantnummer:
SI1012CR-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

630mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Si1012CR

Package Type

SC-75

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

240mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

1.68mm

Width

0.86 mm

Height

0.8mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links