N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1012CR-T1-GE3

RS-stocknr.:: 787-9005
Fabrikantnummer:: SI1012CR-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1012CR-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Prijs Elk (op een tape van 20)**

€ 0,175

(excl. BTW)

€ 0,212

(incl. BTW)

tijdelijk niet op voorraad – nieuwe voorraad verwacht op 11-06-2025, met een levertijd van 2 à 3 werkdagen.*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

Aantal stuks	Per stuk	Per rol**
20 - 180	€ 0,175	€ 3,50
200 - 480	€ 0,123	€ 2,46
500 - 980	€ 0,109	€ 2,18
1000 - 1980	€ 0,077	€ 1,54
2000 +	€ 0,075	€ 1,50

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 787-9005
Fabrikantnummer:: SI1012CR-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Si1012CR, N-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	630 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	SC-75
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	1.1 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Maximum Power Dissipation	240 mW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip	1
Width	0.86mm
Length	1.68mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	1.3 nC @ 8 V
Height	0.8mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SC-75 Vishay SI1012CR-T1-GE3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor

Gerelateerde Links