Vishay Si2319CDS Type P-Channel MOSFET, 4.4 A, 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2319CDS-T1-GE3

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 3,98

(excl. BTW)

€ 4,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 310 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,398€ 3,98

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9042
Fabrikantnummer:
SI2319CDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

Si2319CDS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

108mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.6nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Automotive Standard

No

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 % Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Load Switch

• DC/DC Converter

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links