Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2337DS-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 18,08

(excl. BTW)

€ 21,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Wordt opgeheven
  • 100 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Laatste verzending 12.580 stuk(s) vanaf 25 februari 2026
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 +€ 0,904€ 18,08

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
812-3123
Fabrikantnummer:
SI2337DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.303Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-50°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Recently viewed