Nexperia Type N-Channel MOSFET, 59 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN012-60YS,115
- RS-stocknr.:
- 798-2823
- Fabrikantnummer:
- PSMN012-60YS,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 6,48
(excl. BTW)
€ 7,84
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,296 | € 6,48 |
| 50 - 95 | € 1,192 | € 5,96 |
| 100 - 245 | € 0,732 | € 3,66 |
| 250 - 495 | € 0,704 | € 3,52 |
| 500 + | € 0,638 | € 3,19 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 798-2823
- Fabrikantnummer:
- PSMN012-60YS,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5mm | ||
Width 4.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Land van herkomst:
- PH
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Gerelateerde Links
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN012-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN5R5-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN8R5-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN017-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN7R0-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PH8230E,115
- Nexperia BUK9Y59 N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 BUK9Y59-60E,115
