Nexperia N-Channel MOSFET, 82 A, 80 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN8R2-80YS,115
- RS-stocknr.:
- 798-3031
- Fabrikantnummer:
- PSMN8R2-80YS,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 9,58
(excl. BTW)
€ 11,59
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 2.965 stuk(s) vanaf 05 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 + | € 1,916 | € 9,58 |
*prijsindicatie
Alternatief
Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.
Elk (op een haspel van 3000)
€ 2.367,00
(excl. BTW)
€ 2.864,07
(incl. BTW)
- RS-stocknr.:
- 798-3031
- Fabrikantnummer:
- PSMN8R2-80YS,115
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 82A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 130W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 82A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 130W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Gerelateerde Links
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin SOT-669
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement115
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115