IXYS HiperFET, Polar3 N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS-stocknr.:
- 802-4382P
- Fabrikantnummer:
- IXFH60N50P3
- Fabrikant:
- IXYS
Ontvang bulkkorting
Voeg 5 meer toe om 3% te besparen
Bekijk bulkkortingSubtotaal 2 eenheden (geleverd in een buis)*
€ 19,82
(excl. BTW)
€ 23,98
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 2 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
- Plus verzending 28 stuk(s) vanaf 25 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Bespaar |
|---|---|---|
| 2 - 4 | € 9,91 | - |
| 5 - 9 | € 9,59 | 3% |
| 10 - 14 | € 9,39 | 5% |
| 15 + | € 8,97 | 9% |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 802-4382P
- Fabrikantnummer:
- IXFH60N50P3
- Fabrikant:
- IXYS
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Series | HiperFET, Polar3 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 96nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Series HiperFET, Polar3 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 96nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3mm | ||
Height 21.46mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS