N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

RS-stocknr.:: 802-4394P
Fabrikantnummer:: IXFK120N30P3
Fabrikant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (2 tubes van 1 eenheid)**

€ 33,48

(excl. BTW)

€ 40,52

(incl. BTW)

40 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

Aantal stuks	Per stuk
2 - 4	€ 15,90
5 - 9	€ 15,07
10 +	€ 14,72

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 802-4394P
Fabrikantnummer:: IXFK120N30P3
Fabrikant:: IXYS

IXFK120N30P3, IXFX120N30P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Diode
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	120 A
Maximum Drain Source Voltage	300 V
Package Type	TO-264
Series	HiperFET, Polar3
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	27 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	1.13 kW
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Width	5.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs	150 nC @ 10 V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Length	19.96mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Height	26.16mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 120 A, 300 V, 3-Pin TO-264 IXYS IXFK120N30P3

GRATIS bezorging voor bestellingen vanaf € 75,00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series