onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC855N

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 10,46

(excl. BTW)

€ 12,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • 20 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 180€ 0,523€ 10,46
200 - 480€ 0,451€ 9,02
500 - 980€ 0,391€ 7,82
1000 - 1980€ 0,343€ 6,86
2000 +€ 0,313€ 6,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
809-0871
Fabrikantnummer:
FDC855N
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

PowerTrench

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

39mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Width

1.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Automotive Standard

No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Gerelateerde Links