Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V, 3-Pin D2PAK IPB80N06S2L06ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 840,00

(excl. BTW)

€ 1.020,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 - 1000€ 0,84€ 840,00
2000 - 4000€ 0,806€ 806,00
5000 +€ 0,784€ 784,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
857-4512
Fabrikantnummer:
IPB80N06S2L06ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS™

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

250 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

9.25mm

Length

10mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

114 nC @ 10 V

Height

4.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Vrijgesteld

Gerelateerde Links