IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T550N055T2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 2 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 91,24

(excl. BTW)

€ 110,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
2 - 4€ 45,62
5 - 9€ 44,23
10 - 14€ 43,76
15 +€ 43,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
875-2500P
Fabrikantnummer:
MMIX1T550N055T2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

GigaMOS, HiperFET

Package Type

SMPD

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

25.25mm

Height

5.7mm

Width

23.25 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links