IXYS GigaMOS, HiperFET Type N-Channel MOSFET, 550 A, 55 V Enhancement, 24-Pin SMPD

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 2 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 91,24

(excl. BTW)

€ 110,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
2 - 4€ 45,62
5 - 9€ 44,23
10 - 14€ 43,76
15 +€ 43,30

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
875-2500P
Fabrikantnummer:
MMIX1T550N055T2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

550A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SMPD

Series

GigaMOS, HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

24

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

595nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

5.7mm

Length

25.25mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links