Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 913,00

(excl. BTW)

€ 1.105,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,913€ 913,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
911-0834
Fabrikantnummer:
IPB200N15N3GATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-263

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.31mm

Width

9.45 mm

Height

4.57mm

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Gerelateerde Links