Fabrikantnummer

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263

RS-stocknr.:: 915-8833P
Fabrikantnummer:: C2M1000170J
Fabrikant:: Wolfspeed

Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Subtotaal 2 eenheden (geleverd in een buis)*

€ 10,05

(excl. BTW)

€ 12,16

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Laatste voorraad RS

Laatste 22 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Aantal stuks	Per stuk
2 +	€ 5,025

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 915-8833P
Fabrikantnummer:: C2M1000170J
Fabrikant:: Wolfspeed

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Wolfspeed
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1700V
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Forward Voltage Vf	3.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.57mm
	Length	10.23mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Wolfspeed
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Forward Voltage Vf 3.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.57mm
	Length 10.23mm
	Automotive Standard No

Land van herkomst:: CN

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

• Enhancement-mode N-channel SiC technology

• High Drain-Source breakdown voltages - up to 1200V

• Multiple devices are easy to parallel and simple to drive

• High speed switching with low on-resistance

• Latch-up resistant operation

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.