Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
919-4498
Fabrikantnummer:
IRFD110PBF
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

HVMDIP

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.29mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Height

3.37mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Land van herkomst:
PH
FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• Package with low thermal resistance

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links