Toshiba TBC847B,LM(T Bipolar Transistor, 200 mA NPN, 50 V, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 500 eenheden)*

€ 11,50

(excl. BTW)

€ 14,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 40.500 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
500 - 500€ 0,023€ 11,50
1000 - 1000€ 0,02€ 10,00
1500 - 2500€ 0,02€ 10,00
3000 +€ 0,018€ 9,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
236-3587
Fabrikantnummer:
TBC847B,LM(T
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

200mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

60V

Maximum Power Dissipation Pd

320mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

6V

Minimum DC Current Gain hFE

200

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Length

2.9mm

Height

0.95mm

Series

TBC847

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Toshiba bipolar transistor MADE up of the silicon material and having NPN epitaxial type. It is mainly used in low frequency amplifiers.

Storage temperature range −55 to 150 °C

Gerelateerde Links