Infineon Bipolar Transistor, 65 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-23

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 312,00

(excl. BTW)

€ 378,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,104€ 312,00
6000 - 12000€ 0,099€ 297,00
15000 +€ 0,096€ 288,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
258-6996
Fabrikantnummer:
BFR183E6327HTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

65mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

2V

Minimum DC Current Gain hFE

70

Transistor Polarity

NPN

Maximum Power Dissipation Pd

450mW

Maximum Transition Frequency ft

8GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Length

2.9mm

Height

1mm

Series

BFR183

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon low noise silicon bipolar RF transistor is for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This transistor is used for amplifier and oscillator applications in RF front end and wireless communications

Pb free RoHS compliant package

VCEO max is 12 V

Gerelateerde Links