Infineon RF Bipolar Transistor, 35 mA NPN, 2.25 V, 4-Pin SOT-343

Bekijk alle Bipolar Transistors
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 558,00

(excl. BTW)

€ 675,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 01 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 - 3000€ 0,186€ 558,00
6000 - 6000€ 0,177€ 531,00
9000 +€ 0,173€ 519,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
259-1453
Fabrikantnummer:
BFP840ESDH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

35mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

2.25V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

2.9V

Minimum DC Current Gain hFE

150

Maximum Power Dissipation Pd

75mW

Maximum Transition Frequency ft

80GHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Polarity

NPN

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

2mm

Series

BFP

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

The Infineon discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band. It is satellite communication systems are satellite radio (SDARs, DAB), navigation systems (e.g. GPS, Glonass, Beidou, Galileo).

High gain Gms 22.5 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA

OIP3 22 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 10 mA

IC max +35mA

Gerelateerde Links