Infineon BGB741L7ESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 10 mA, 7-Pin TSLP-7-1
- RS-stocknr.:
- 261-3960
- Fabrikantnummer:
- BGB741L7ESDE6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Ontvang bulkkorting
Voeg 20 meer toe om € 1,48 te besparen
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*
€ 7,36
(excl. BTW)
€ 8,91
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 1.000 stuk(s) vanaf 24 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* | Bespaar |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,736 | € 7,36 | - |
| 20 - 90 | € 0,662 | € 6,62 | € 1,48 |
| 100 - 240 | € 0,598 | € 5,98 | € 13,80 |
| 250 - 490 | € 0,535 | € 5,35 | € 50,25 |
| 500 + | € 0,485 | € 4,85 | € 125,50 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 261-3960
- Fabrikantnummer:
- BGB741L7ESDE6327XTSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 10mA | |
| Package Type | TSLP-7-1 | |
| Mount Type | Surface | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 120mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 3.5GHz | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.4mm | |
| Length | 2mm | |
| Width | 1.3mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BGB741L7ESD | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 10mA | ||
Package Type TSLP-7-1 | ||
Mount Type Surface | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 120mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 3.5GHz | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.4mm | ||
Length 2mm | ||
Width 1.3mm | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BGB741L7ESD | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high performance broadband low noise amplifier with MMIC based on silicon germanium carbon bipolar technology. Its for application of satellite navigation systems and wireless communications.
High RF input power robustness of 20 dBm
Minimum noise figure
Gerelateerde Links
- Infineon BGB741L7ESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 7-Pin TSLP-7-1
- Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon BFR360L3E6765XTMA1 RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR840L3RHESDE6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 2.25 V, 3-Pin TSLP-3-9
- Infineon BFR460L3E6327XTMA1 RF Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon BFR380L3E6327XTMA1 Bipolar Transistor 15 V, 3-Pin TSLP-3-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP540FESDH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343