onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

RS-stocknr.:: 121-6413
Fabrikantnummer:: MJD112G
Fabrikant:: onsemi

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

Bulkkorting beschikbaar

Prijs Elk (in eentube van 75)

€ 0,303

(excl. BTW)

€ 0,367

(incl. BTW)

235 op voorraad - levertijd is 4 werkdag(en).*

* Bezorgdata kunnen veranderen afhankelijk van de gekozen hoeveelheid en het bezorgadres.

Aantal stuks	Per stuk	Per tube**
75 - 75	€ 0,303	€ 22,725
150 - 450	€ 0,224	€ 16,80
525 - 975	€ 0,202	€ 15,15
1050 - 2475	€ 0,197	€ 14,775
2550 +	€ 0,192	€ 14,40

**prijsindicatie

RS-stocknr.:: 121-6413
Fabrikantnummer:: MJD112G
Fabrikant:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Kenmerk	Waarde
Transistor Type	NPN
Maximum Continuous Collector Current	2 A
Maximum Collector Emitter Voltage	100 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Number of Elements per Chip	1
Minimum DC Current Gain	1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	4 V
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	3 V
Maximum Collector Cut-off Current	20µA
Height	2.38mm
Width	6.22mm
Maximum Power Dissipation	20 W
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.73mm
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.38mm

onsemi MJD112G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin DPAK

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Gerelateerde Links