Infineon IRS21867SPBF MOSFET Gate Driver, 4 A 8-Pin 600V, SOIC
- RS-stocknr.:
- 260-5221
- Fabrikantnummer:
- IRS21867SPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*
€ 9,96
(excl. BTW)
€ 12,05
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Op voorraad
- 3.210 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per verpakking* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,992 | € 9,96 |
| 50 - 120 | € 1,81 | € 9,05 |
| 125 - 245 | € 1,694 | € 8,47 |
| 250 - 495 | € 1,572 | € 7,86 |
| 500 + | € 1,452 | € 7,26 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 260-5221
- Fabrikantnummer:
- IRS21867SPBF
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Output Current | 4A | |
| Pin Count | 8 | |
| Fall Time | 18ns | |
| Package Type | SOIC | |
| Driver Type | MOSFET | |
| Rise Time | 38ns | |
| Minimum Supply Voltage | 20V | |
| Maximum Supply Voltage | 600V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | IRS21867S | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Output Current 4A | ||
Pin Count 8 | ||
Fall Time 18ns | ||
Package Type SOIC | ||
Driver Type MOSFET | ||
Rise Time 38ns | ||
Minimum Supply Voltage 20V | ||
Maximum Supply Voltage 600V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series IRS21867S | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Floating channel designed for bootstrap operation
Under voltage lockout for both channels