Renesas Electronics HIP2210FRTZ MOSFET Gate Driver, 1.69 mA 10-Pin 100 V, SOIC

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,16

(excl. BTW)

€ 9,875

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 170 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 1,632€ 8,16
25 - 45€ 1,392€ 6,96
50 - 95€ 1,366€ 6,83
100 - 245€ 1,174€ 5,87
250 +€ 1,116€ 5,58

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
264-3550
Fabrikantnummer:
HIP2210FRTZ
Fabrikant:
Renesas Electronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Renesas Electronics

Product Type

Gate Driver Module

Output Current

1.69mA

Pin Count

10

Fall Time

790ns

Package Type

SOIC

Driver Type

MOSFET

Rise Time

20ns

Minimum Supply Voltage

100V

Maximum Supply Voltage

100V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Series

HIP2210

Length

5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Renesas Electronics high-frequency half-bridge NMOS FET drivers. This is a tri-level PWM input with programmable dead time. Its wide operating supply range of 6V to

18V and integrated high-side bootstrap diodecsupports driving the high-side and low-side NMOS in 100V half-bridge applications.

Integrated 0.5Ω typical bootstrap diode

Robust noise tolerance

VDD and boot undervoltage lockout

Gerelateerde Links