STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 110,58

(excl. BTW)

€ 133,80

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 3,686€ 110,58

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-008
Fabrikantnummer:
STGWA50M65DF2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

119 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

576 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Safer paralleling

Gerelateerde Links