STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, Type N-Channel Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 3,68

(excl. BTW)

€ 4,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 25 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 3,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-009
Fabrikantnummer:
STGWA50M65DF2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

119A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

576W

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.1mm

Standards/Approvals

No

Width

15.70 to 15.90 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Safer paralleling

Gerelateerde Links