IXYS, Type N-Channel IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 387,36

(excl. BTW)

€ 468,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 12,912€ 387,36

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4435
Fabrikantnummer:
IXGH40N120B2D1
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

380W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

140ns

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

3.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.75 mm

Series

Mid-Frequency

Standards/Approvals

RoHS

Length

19.81mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links