onsemi FGH40T120SQDNL4, Type P-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Tekort aan voorraad
Vanwege een wereldwijd voorraadtekort, weten we niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
Verpakkingsopties

Alternatief

Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.

presentation
onsemi, Type P-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 4-Pin TO-247, Through Hole
RS-stocknr.
178-4321

Elk (in eentube van 30)

€ 4,944

(excl. BTW)

€ 5,982

(incl. BTW)

RS-stocknr.:
178-4594
Fabrikantnummer:
FGH40T120SQDNL4
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

227W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type P

Pin Count

4

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.78V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.

Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology • TJmax = 175°C • Soft Fast Reverse Recovery Diode • Optimized for High Speed Switching • These are Pb−Free Devices

Applications

Solar inverter UPS Welding

Gerelateerde Links