STMicroelectronics STGWA20H65DFB2, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 54,00

(excl. BTW)

€ 65,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 30 stuk(s) vanaf 12 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 1,80€ 54,00
120 - 240€ 1,68€ 50,40
270 - 480€ 1,636€ 49,08
510 - 990€ 1,593€ 47,79
1020 +€ 1,554€ 46,62

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
206-7209
Fabrikantnummer:
STGWA20H65DFB2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

147W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Trench Gate Field Stop

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature : TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Gerelateerde Links