STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 106,23

(excl. BTW)

€ 128,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 3,541€ 106,23
120 - 240€ 3,445€ 103,35
270 - 480€ 3,353€ 100,59
510 - 990€ 3,268€ 98,04
1020 +€ 3,187€ 95,61

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
206-7211
Fabrikantnummer:
STGWA75H65DFB2
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

115A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.1mm

Length

15.9mm

Width

21.1 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A

Very fast and soft recovery co-packaged diode

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Gerelateerde Links