STMicroelectronics STGWA30IH65DF, Type N-Channel IGBT, 60 A 650 V, 4-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 20,04

(excl. BTW)

€ 24,25

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 450 stuk(s) vanaf 03 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 4,008€ 20,04
25 - 45€ 3,898€ 19,49
50 - 120€ 3,796€ 18,98
125 - 245€ 3,70€ 18,50
250 +€ 3,604€ 18,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
206-8630
Fabrikantnummer:
STGWA30IH65DF
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

108W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

4

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.1mm

Length

15.9mm

Width

21.1 mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.

Designed for soft commutation only

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Low thermal resistance

Low drop voltage freewheeling co-packaged diode

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Gerelateerde Links