Infineon, Type N-Channel IGBT, 55 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 58,32

(excl. BTW)

€ 70,56

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 30 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 30€ 1,944€ 58,32
60 - 120€ 1,847€ 55,41
150 +€ 1,769€ 53,07

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
215-6671
Fabrikantnummer:
IKW30N65H5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

55A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC

Height

5.21mm

Length

42mm

Automotive Standard

No

The Infineon 650v duopack insulated-gate bipolar transistor is a diode of fifth generation high speed switching series.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.