Infineon IKW50N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,75

(excl. BTW)

€ 13,008

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 208 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 5,375€ 10,75
10 - 18€ 4,84€ 9,68
20 - 48€ 4,515€ 9,03
50 - 98€ 4,195€ 8,39
100 +€ 3,87€ 7,74

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
226-6118
Fabrikantnummer:
IKW50N65EH5XKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

275W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13 mm

Standards/Approvals

JEDEC

Length

41.42mm

Series

High Speed Fifth Generation

Automotive Standard

No

The Infineon IKW50N65EH5 is 650 V high speed hard switching IGBT which used co-packed with rapid si-diode technology. It has higher power density design and has low COES/EOSS.

Factor 2.5 lower Qg

Factor 2 reduction in switching losses

200mV reduction in VCEsat

Gerelateerde Links