Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 119,25

(excl. BTW)

€ 144,29

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 119,25
2 - 4€ 116,86
5 +€ 105,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5819
Fabrikantnummer:
FD150R12RT4HOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

150 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

790 W

Number of Transistors

1

The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.

Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
Low switching losses
Low VCEsat
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Mechanical features
Isolated base plate
Standard housing

Gerelateerde Links