Infineon IGBT Module, 75 A 1200 V

Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*

€ 915,55

(excl. BTW)

€ 1.107,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
10 +€ 91,555€ 915,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
244-5834
Fabrikantnummer:
FP50R12KE3BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation Pd

280W

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

FP50R12KE3

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Gerelateerde Links