Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM
- RS-stocknr.:
- 244-5851
- Fabrikantnummer:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Subtotaal (1 tray van 10 eenheden)*
€ 864,19
(excl. BTW)
€ 1.045,67
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 07 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per tray* |
|---|---|---|
| 10 + | € 86,419 | € 864,19 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 244-5851
- Fabrikantnummer:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 385W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | EconoPIM | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | FP75R12KT4B | |
| Height | 17mm | |
| Length | 122mm | |
| Width | 62.5 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 385W | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type EconoPIM | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series FP75R12KT4B | ||
Height 17mm | ||
Length 122mm | ||
Width 62.5 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gerelateerde Links
- Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon FP75R12KT3BOSA1 IGBT Module 1200 V EconoPIM
- Infineon IGBT Module 1200 V
- Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V