Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module, 70 A 650 V

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tray van 15 eenheden)*

€ 649,635

(excl. BTW)

€ 786,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 15 stuk(s) vanaf 11 maart 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tray*
15 - 15€ 43,309€ 649,64
30 +€ 41,144€ 617,16

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
248-1199
Fabrikantnummer:
F3L100R07W2H3B11BPSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

70 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

20 mW

Number of Transistors

4

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.

Best cost-performance ratio with reduced system costs
High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology
Highest efficiency and power density

Gerelateerde Links