Fabrikantnummer

Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

RS-stocknr.:: 248-1200
Fabrikantnummer:: F3L100R07W2H3B11BPSA1
Fabrikant:: Infineon

Infineon F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBT Module 650 V, Through Hole

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 46,64

(excl. BTW)

€ 56,43

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 08 september 2026

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 1	€ 46,64
2 - 4	€ 44,32
5 - 9	€ 42,44
10 - 19	€ 40,58
20 +	€ 38,71

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 248-1200
Fabrikantnummer:: F3L100R07W2H3B11BPSA1
Fabrikant:: Infineon

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Number of Transistors	4
	Mount Type	Through Hole
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	12mm
	Series	F3L100R07W2H3B11
	Length	56.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Number of Transistors 4
	Mount Type Through Hole
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 12mm
	Series F3L100R07W2H3B11
	Length 56.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - F3L100R07W2H3B11BPSA1

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design, and uses IGBT HighSpeed 3 technology

Highest efficiency and power density

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.