Bourns BIDNW30N60H3 Single Diode IGBT, 30 A 600 V TO-247N

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,91

(excl. BTW)

€ 5,942

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.294 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,455€ 4,91

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
253-3503
Fabrikantnummer:
BIDNW30N60H3
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

230 W

Package Type

TO-247N

Configuration

Single Diode

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses.

600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Low switching loss
Fast switching
RoHS compliant

Gerelateerde Links