Bourns BIDW20N60T IGBT, 40 A 600 V TO-247

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,86

(excl. BTW)

€ 7,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.182 stuk(s) vanaf 18 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,93€ 5,86

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
253-3505
Fabrikantnummer:
BIDW20N60T
Fabrikant:
Bourns
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Bourns

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Package Type

TO-247

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

BIDW20N60T

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant

Gerelateerde Links