Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
- RS-stocknr.:
- 258-3757
- Fabrikantnummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Bulkkorting beschikbaar
Subtotaal (1 eenheid)*
€ 4,61
(excl. BTW)
€ 5,58
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 75,00
Op voorraad
- Plus verzending 654 stuk(s) vanaf 16 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,61 |
| 10 - 24 | € 4,10 |
| 25 - 49 | € 3,88 |
| 50 - 99 | € 3,60 |
| 100 + | € 3,32 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 258-3757
- Fabrikantnummer:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- Fabrikant:
- Infineon
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Infineon | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Infineon | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
The Infineon CoolSiC1200 V, 350 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.
Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Gerelateerde Links
- Infineon IMBG120R350M1HXTMA1 IGBT Transistor Module PG-TO263-7
- Infineon IGB15N65S5ATMA1 IGBT PG-TO263-3
- Infineon IGP50N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 90 A 600 V PG-TO220-3
- Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKP15N65H5XKSA1 IGBT Transistor Module, 30 A 650 V PG-TO220-3
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- Infineon IPF Type N-Channel Power Transistor 200 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IPF129N20NM6ATMA1