STMicroelectronics STGF6NC60HD, Type N-Channel IGBT, 7 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,62

(excl. BTW)

€ 9,22

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 20 stuk(s) vanaf 29 mei 2026
  • Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 08 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 20€ 1,524€ 7,62
25 - 45€ 1,448€ 7,24
50 - 120€ 1,304€ 6,52
125 - 245€ 1,176€ 5,88
250 +€ 1,114€ 5,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
795-8981
Fabrikantnummer:
STGF6NC60HD
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

7A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

56W

Package Type

TO-220FP

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

Powermesh

Standards/Approvals

JEDEC JESD97

Length

10.4mm

Height

16.4mm

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links