onsemi ISL9V3040D3ST, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,22

(excl. BTW)

€ 13,575

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Op voorraad
  • 15 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 1.735 stuk(s) vanaf 25 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,244€ 11,22
50 - 95€ 1,934€ 9,67
100 - 495€ 1,678€ 8,39
500 - 995€ 1,474€ 7,37
1000 +€ 1,342€ 6,71

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
807-8758
Fabrikantnummer:
ISL9V3040D3ST
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Product Type

Ignition IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

EcoSPARK

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

300mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links