Fairchild Semiconductor ISL9V3040S3ST, Type N-Channel IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-263, Surface

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,47

(excl. BTW)

€ 13,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 25 stuk(s) vanaf 09 maart 2026
  • Plus verzending 495 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
  • Plus verzending 20 stuk(s) vanaf 16 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 2,294€ 11,47
10 - 95€ 1,962€ 9,81
100 - 245€ 1,524€ 7,62
250 - 495€ 1,468€ 7,34
500 +€ 1,412€ 7,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
862-9353
Fabrikantnummer:
ISL9V3040S3ST
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Fairchild Semiconductor

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

EcoSPARK

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

300mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links